Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A

Товар по предзаказу. Срок поставки 3-5 недель

Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Высота: 17 mm
Длина: 122 mm
Ширина: 62 mm
Вид монтажа: Screw
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Другие названия товара №: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445